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VSEPR的基本要點(diǎn)

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VSEPR的基本要點(diǎn):

(1)在A(yíng)Xm型分子中,中心原子A的周?chē)渲玫脑踊蛟訄F(tuán)的幾何構(gòu)型,主要決定于中心原子價(jià)電子層中電子對(duì)的互相排斥作用,分子的幾何構(gòu)型總是采取電子對(duì)相互排斥最小的那種結(jié)構(gòu)。

(2)電子對(duì)相互排斥作用大小取決于電子對(duì)的數(shù)目、類(lèi)型和電子對(duì)之間的夾角。

①如A與X之間是通過(guò)兩對(duì)電子或三對(duì)電子結(jié)合而成醫(yī)|學(xué)教|育網(wǎng)搜集整理,可把雙鍵或三鍵作為一個(gè)電子對(duì)來(lái)看待。

②電子對(duì)之間的夾角越小排斥力越大。

③不同電子對(duì)之間斥力大小順序:孤電子對(duì)-孤電子對(duì)>孤電子對(duì)-成鍵電子>成鍵電子-成鍵電子叁鍵>雙鍵>單鍵。

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直播時(shí)間:3月10日 19:30-21:00

主講老師:劉 楝老師

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